Gyártási mérföldkőhöz érkezett egy szén nanocsöveken alapuló számítógépes memória chip, jelentette be a technológiát kifejlesztő amerikai cég. A prototípus több százmillió nanocső felhasználásával tárolja el az információkat, melynek elméleti korlátja 10 gigabitnyi adat, állítja a bostoni központú Nantero.

Hirdetés

Ha befejeződik a fejlesztés a nanoméretű RAM (NRAM) több adat tárolására lesz képes, mint a jelenleg létező RAM típusok, mitöbb "non-volatile" lesz, azaz az adatok nem vesznek el, ha kikapcsoljuk a gépet, vagy egy bosszantó áramszünet következik be. Az NRAM-mal felszerelt számítógépek szinte azonnal be boot-olnak, illetve a Nantero állítása szerint az NRAM jóval gyorsabb lesz a jelenlegi non-volatile memóriáknál, mint például a Flash.

A Nantero nem az egyetlen cég, amely a nanocsövekben látja a számítógépes memóriák jövőjét. A cég azonban hiszi, hogy előnyük abban a tényben rejlik, hogy chipjeik a meglévő szilícium előállítási módszerekkel elkészíthetők, ezért előállításuk viszonylag olcsó.

A nanocsövek megfelelő csoportosítású előállítása helyett a Nantero a szilícium ostya teljes felszínére véletlenszerűen viszi fel azokat. Ezután a meglévő litografikus felszerelés használatával lemaratják azokat a nanocsöveket, melyek nem a megfelelő elrendezésben vannak. A maratás után megmaradó nanocsöveket nyalábokba rendezik, hogy azok összekössék az ostyán elhelyezkedő elektróda párokat. Egy kis elektromos mező alkalmazásával a csövek megváltoztatók úgy, hogy áthidalják az elektródák közötti réseket vagy sem. Ez a két állapot különböző vezetőképességet eredményez, amit könnyű beazonosítani és felhasználható a bináris nulla és egy ábrázolására.

A Nantero már előállított egy nanocső kötegekkel pettyezett ostyát, azonban még mindig fejlesztés alatt áll a különálló nyalábok egyenkénti címzése. Schmergel szerint ez csupán a jelenlegi szilícium-elektronikai technológiák kihasználásának kérdése. Cees Dekker, a holland Delft Egyetem szén nanocső szakértője szerint az előállítási módszer működőképesnek tűnik. Azonban potenciális problémaként veti fel a különböző nanocső típusok elkülönítését, melyek az előállítás során együtt jönnek létre.

"Meg kell találni a módját a félvezető és a fémtípusú nanocsövek kezelésének, melyek meglehetősen különböző elektromos tulajdonságokkal rendelkeznek" - válaszolt a New Scientist kérdésére. Schmergel várakozásai szerint az NRAM 18 hónapon belül képes lesz 4 megabit tárolására, valamint három éven belül versenyre kelhet a jelenlegi RAM típusokkal.